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STD17NF03LT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD17NF03LT4
Código Farnell
Rollo completo4319971
Re-reeling (Rollos a medida)1291958RL
Cinta1291958
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Opciones de embalaje
Cinta & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,784 € |
| 50+ | 0,495 € |
| 100+ | 0,343 € |
| 500+ | 0,263 € |
| 1000+ | 0,237 € |
Rollo completo
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 2500+ | 0,208 € |
| 7500+ | 0,204 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD17NF03LT4
Código Farnell
Rollo completo4319971
Re-reeling (Rollos a medida)1291958RL
Cinta1291958
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id17A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.05ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)16V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.5V
Disipación de Potencia30W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The STD17NF03LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- Low gate charge at 100°C
- Application oriented characterization
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
17A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
16V
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.05ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002041
Trazabilidad del producto