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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSMDB3
Código Farnell1689300
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,477 € |
10+ | 0,322 € |
100+ | 0,234 € |
500+ | 0,187 € |
1000+ | 0,175 € |
5000+ | 0,154 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSMDB3
Código Farnell1689300
Hoja de datos técnicos
Tensión de Irrupción Vbo Mín.28V
Tensión de Irrupción Máx.36V
Corriente de Ruptura Máx.50µA
Encapsulado del Diac / SidacSOT-23
Número de Pines3Pins
TipoDIAC
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Montaje de TiristorMontaje en superficie
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SMDB3 is a 32V VBO DIAC functioning as a trigger diode with a fixed voltage reference. It can be used in conjunction with TRIACs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorescent lamp ballasts.
- Low break over current
Especificaciones técnicas
Tensión de Irrupción Vbo Mín.
28V
Corriente de Ruptura Máx.
50µA
Número de Pines
3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Gama de Producto
-
Tensión de Irrupción Máx.
36V
Encapsulado del Diac / Sidac
SOT-23
Tipo
DIAC
Montaje de Tiristor
Montaje en superficie
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001