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SGT140R70ILB
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSGT140R70ILB
Código Farnell4785165
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,690 € |
| 10+ | 3,190 € |
| 100+ | 2,360 € |
| 500+ | 2,050 € |
| 1000+ | 1,940 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
4,69 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSGT140R70ILB
Código Farnell4785165
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)700V
Corriente de Drenaje Continua Id17A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.14ohm
Carga de Puerta Típica3.5nC
Encapsulado del TransistorPowerFLAT HV
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de pines8Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
700V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.14ohm
Encapsulado del Transistor
PowerFLAT HV
Número de pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
17A
Carga de Puerta Típica
3.5nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto