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SCTW100N65G2AG
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCTW100N65G2AG
Código Farnell3387273
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 41,570 € |
| 5+ | 36,370 € |
| 10+ | 30,140 € |
| 50+ | 27,020 € |
| 100+ | 24,940 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCTW100N65G2AG
Código Farnell3387273
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.02ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.1V
Disipación de Potencia420W
Temperatura de Funcionamiento Máx.200°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.02ohm
Número de Pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.1V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
420W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0045
Trazabilidad del producto