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SCTL90N65G2V
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCTL90N65G2V
Código Farnell3748721RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 50+ | 20,960 € |
| 100+ | 20,530 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCTL90N65G2V
Código Farnell3748721RL
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.018ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.018ohm
Encapsulado del TransistorPowerFLAT
Número de pines5Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.2V
Disipación de Potencia Pd935W
Disipación de Potencia935W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SCTL90N65G2V es un MOSFET de potencia de carburo de silicio. Este dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de segunda generación de ST. El dispositivo presenta una resistencia de encendido notablemente baja por unidad de área y un rendimiento de conmutación muy bueno. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión. Las aplicaciones típicas son fuente de alimentación de modo conmutado, convertidores CC-CC y control de motores industriales.
- Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto, bajas capacitancias
- Pin de detección de fuente para mayor eficiencia
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 650V como mínimo a VGS = 0V, ID = 1mA
- La resistencia de encendido de la fuente de drenaje estática es de 24 mohm como máximo a VGS = 18 V, ID = 40 A
- La corriente de drenaje (continua) a TC = 25 °C es 40A
- La capacitancia de entrada es típica de 3380 pF en VDS = 400 V, f = 1 MHz, VGS = 0 V
- El tiempo de subida es de 38 ns típico en VDD = 400 V, ID = 50 A, RG = 2,2 ohmios, VGS = -5 V a 18 V
- Paquete PowerFLAT 8x8 HV
- Rango de temperatura de la unión operativa de -55 a 175 °C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.018ohm
Número de pines
5Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.2V
Disipación de Potencia
935W
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.018ohm
Encapsulado del Transistor
PowerFLAT
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
935W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00018
Trazabilidad del producto