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SCTH35N65G2V-7AG
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCTH35N65G2V-7AG
Código Farnell3764233RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 9,920 € |
| 50+ | 9,130 € |
| 100+ | 7,890 € |
| 250+ | 7,650 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCTH35N65G2V-7AG
Código Farnell3764233RL
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id45A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.045ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.045ohm
Encapsulado del TransistorH2PAK
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.2V
Disipación de Potencia Pd208W
Disipación de Potencia208W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.045ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.2V
Disipación de Potencia
208W
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
45A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.045ohm
Encapsulado del Transistor
H2PAK
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
208W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00154
Trazabilidad del producto