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SCT30N120
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCT30N120
Código Farnell2451116
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 21,030 € |
| 5+ | 20,850 € |
| 10+ | 20,660 € |
| 50+ | 14,690 € |
| 100+ | 14,280 € |
| 250+ | 14,130 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCT30N120
Código Farnell2451116
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.08ohm
Encapsulado del TransistorHiP247
Número de Pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.6V
Disipación de Potencia270W
Temperatura de Funcionamiento Máx.200°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.08ohm
Número de Pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
HiP247
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
270W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.008051
Trazabilidad del producto