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SCT040H120G3AG
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCT040H120G3AG
Código Farnell4458502RL
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 12,230 € |
| 50+ | 11,070 € |
| 100+ | 9,910 € |
| 250+ | 9,710 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
127,30 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCT040H120G3AG
Código Farnell4458502RL
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.054ohm
Encapsulado del TransistorH2PAK
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.2V
Disipación de Potencia300W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.054ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.2V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
H2PAK
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
300W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto