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SCT016H120G3AG
MOSFET de Carburo de Silicio, AEC-Q101, Simple, Canal N, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCT016H120G3AG
Código Farnell4632677RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 18,370 € |
| 50+ | 17,300 € |
| 100+ | 16,230 € |
| 250+ | 15,910 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSCT016H120G3AG
Código Farnell4632677RL
Hoja de datos técnicos
Corriente de Drenaje Continua Id112A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.022ohm
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.2V
Disipación de Potencia652W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Drenaje Continua Id
112A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.022ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
652W
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.2V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):1.54
Trazabilidad del producto