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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricantePD55025S-E
Código Farnell3129635
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 23,830 € |
5+ | 22,730 € |
10+ | 21,630 € |
50+ | 20,520 € |
100+ | 19,420 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricantePD55025S-E
Código Farnell3129635
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id7A
Disipación de Potencia79W
Frecuencia mín. de funcionamiento-
Frecuencia máx. de funcionamiento1GHz
Encapsulado del TransistorPowerSO-10RF
Número de pines-
Temperatura de Funcionamiento Máx.165°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorReborde
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Disipación de Potencia
79W
Frecuencia máx. de funcionamiento
1GHz
Número de pines
-
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Drenaje Continua Id
7A
Frecuencia mín. de funcionamiento
-
Encapsulado del Transistor
PowerSO-10RF
Temperatura de Funcionamiento Máx.
165°C
Montaje de Transistor
Reborde
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00042