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MJD127T4
Transistor Darlington, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteMJD127T4
Código Farnell1703977
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,915 € |
| 10+ | 0,648 € |
| 100+ | 0,442 € |
| 500+ | 0,365 € |
| 1000+ | 0,313 € |
| 5000+ | 0,252 € |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteMJD127T4
Código Farnell1703977
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd20W
Corriente de Colector DC8A
Encapsulado del Transistor RFTO-252 (DPAK)
Número de Pines3Pins
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The MJD127T4 is a PNP complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Disipación de Potencia Pd
20W
Encapsulado del Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector DC
8A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MJD127T4
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00045
Trazabilidad del producto