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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteM2P45M12W2-1LA
Código Farnell4732535
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 62,870 € |
5+ | 57,440 € |
10+ | 51,220 € |
50+ | 46,800 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteM2P45M12W2-1LA
Código Farnell4732535
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPack x 6
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id30A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0605ohm
Encapsulado del TransistorACEPACK DMT
Número de pines32Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Pack x 6
Corriente de Drenaje Continua Id
30A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0605ohm
Número de pines
32Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
ACEPACK DMT
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Pendiente
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto