Imprimir página
IRF630
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Orificio Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteIRF630
Código Farnell9802380
Hoja de datos técnicos
706 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,590 € |
| 10+ | 0,741 € |
| 100+ | 0,701 € |
| 500+ | 0,574 € |
| 1000+ | 0,559 € |
| 5000+ | 0,548 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,59 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteIRF630
Código Farnell9802380
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Corriente de Drenaje Continua Id9A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.4ohm
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia100W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF630 de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia Mesh Overlay™ II con canal N de 200V en encapsulado TO-220 de montaje por orificio pasante. Este MOSFET de potencia está diseñado utilizando el proceso consolidado del fabricante MESH OVERLAY de configuración en banda que permite equilibrar y mejorar el rendimiento. Ofrece una alta capacidad dv/dt, capacitancias intrínsecas muy bajas y una carga de puerta minimizada.
- Tensión de drenador a fuente (Vds) de 200V
- Tensión de puerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua (Id) de 9A
- Disipación de potencia (Pd) de 75W
- Rango de temperatura de unión en funcionamiento de -65°C a 150°C
- Tensión umbral de puerta de 3V
- Baja resistencia en estado de conducción de 350mohm a Vgs 10V
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
9A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.4ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para IRF630
Se ha encontrado 1 producto
Productos asociados
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Morocco
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Morocco
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002931
Trazabilidad del producto