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BAL-UWB-01E3
Balun de Chip, 50ohm, 100ohm, 1 dB, CSP, 3 GHz, 8 GHz
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteBAL-UWB-01E3
Código Farnell3366954RL
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteBAL-UWB-01E3
Código Farnell3366954RL
Hoja de datos técnicos
Impedancia - No Equilibrada / Equilibrada50ohm, 100ohm
Pérdida por Inserción1dB
Desplazamiento de Fase-
Encapsulado del BalunCSP
Frecuencia Mínima3GHz
Frecuencia Máxima8GHz
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
BAL-UWB-01E3 is a 50 ohm to 100 ohm balun for UWB. This is an ultra-miniature balun that integrates matching network, dedicated to ultra-wide band 3GHz to 8GHz. This device uses STMicroelectronics IPD technology on non conductive glass substrate which optimizes RF performance. Application includes high value asset tracking, people tracking / gate, secure entry / transaction, vehicle keyless entry, healthcare.
- Very low profile, high RF performance
- PCB space saving, efficient manufacturability
- LGA footprint compatible, low thickness ≤ 450µm
- High RF performance, PCB space saving
- 100 ohm typical nominal differential output impedance (Tamb = 25°C)
- 50 ohm typical nominal input impedance (Tamb = 25°C)
- 3 to 8GHz frequency range (bandwidth, Tamb = 25°C)
- 1.0dB typical insertion loss differential mode lSds21l (Tamb = 25°C)
- Phase imbalance range from -25 to 25°, amplitude imbalance range from -2.5 to 2.5dB (Tamb = 25 °C)
- Bumpless CSP package, maximum operating temperature range from -40 to +105°C
Especificaciones técnicas
Impedancia - No Equilibrada / Equilibrada
50ohm, 100ohm
Desplazamiento de Fase
-
Frecuencia Mínima
3GHz
Gama de Producto
-
Pérdida por Inserción
1dB
Encapsulado del Balun
CSP
Frecuencia Máxima
8GHz
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000002