Imprimir página
2STR1215
Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 15 V, 2 A, 500 mW, SOT-23
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricante2STR1215
Código Farnell1297994
Hoja de datos técnicos
1500 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,486 € |
| 50+ | 0,301 € |
| 100+ | 0,194 € |
| 500+ | 0,146 € |
| 1500+ | 0,128 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
2,43 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricante2STR1215
Código Farnell1297994
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx15V
Corriente de Colector Continua2A
Disipación de Potencia500mW
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición-MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE280hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The 2STR1215 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using new "PB-HCD" (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
- Very low collector-emitter saturation voltage
- High current gain characteristic
- Fast switching speed
- Surface-mount device in medium power package
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
2A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
280hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
15V
Disipación de Potencia
500mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
-MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0002
Trazabilidad del producto