Imprimir página
GD75HFX65C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Módulo
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
18 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 33,680 € |
| 5+ | 31,750 € |
| 10+ | 29,690 € |
| 50+ | 28,610 € |
| 100+ | 27,760 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
33,68 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTARPOWER
Referencia del fabricanteGD75HFX65C1S
Código Farnell3912063
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector Continua100A
Corriente de Colector DC100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.45V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.45V
Disipación de Potencia258W
Disipación de Potencia Pd258W
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo650V
Tecnología IGBTZanja
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
100A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.45V
Disipación de Potencia Pd
258W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Terminación IGBT
Perno
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Corriente de Colector Continua
100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.45V
Disipación de Potencia
258W
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Tecnología IGBT
Zanja
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.15