Imprimir página
GD2400SGX170C4S
Módulo IGBT, Simple, 2.4 kA, 1.85 V, 150 °C, Módulo
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTARPOWER
Referencia del fabricanteGD2400SGX170C4S
Código Farnell3912090
Hoja de datos técnicos
3 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 647,550 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
647,55 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTARPOWER
Referencia del fabricanteGD2400SGX170C4S
Código Farnell3912090
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSimple
Corriente de Colector Continua2.4kA
Corriente de Colector DC2.4kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.85V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx1.7kV
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.7kV
Tecnología IGBTZanja
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Simple
Corriente de Colector DC
2.4kA
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.85V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Terminación IGBT
Perno
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Corriente de Colector Continua
2.4kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.7kV
Tecnología IGBT
Zanja
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):2.3