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GD150HFY120C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Módulo
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FabricanteSTARPOWER
Referencia del fabricanteGD150HFY120C1S
Código Farnell2986061
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 58,210 € |
| 5+ | 54,010 € |
| 10+ | 49,080 € |
| 50+ | 47,290 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
58,21 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
Referencia del fabricanteGD150HFY120C1S
Código Farnell2986061
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector Continua230A
Corriente de Colector DC230A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2V
Disipación de Potencia746W
Disipación de Potencia Pd746W
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Tecnología IGBTZanja/Limitador de Campo
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Los módulos y las matrices IGBT de Starpower proporcionan pérdidas ultra bajas por conducción así como robustez contra cortocircuitos. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS. Con funciones clave de tecnología IGBT de zanja, temperatura de unión máxima de 175°C y placa base de cobre aislada que emplea tecnología DBC.
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
230A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2V
Disipación de Potencia Pd
746W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Terminación IGBT
Perno
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector Continua
230A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia
746W
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Tecnología IGBT
Zanja/Limitador de Campo
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para GD150HFY120C1S
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.152861