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2N4860A
Transistor JFET, JFET, -30 V, 100 mA, -6 V, TO-18, 3 Pines
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Fuera de inventario
Información del producto
FabricanteSOLID STATE
Referencia del fabricante2N4860A
Código Farnell1862999
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-30V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.100mA
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.20mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-6V
Encapsulado del TransistorTO-18
Número de pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.-
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-30V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
20mA
Encapsulado del Transistor
TO-18
Temperatura de Funcionamiento Máx.
-
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
100mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-6V
Número de pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000311