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SKM50GB12T4
Módulo IGBT, Medio Puente, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 62,900 € |
| 5+ | 59,290 € |
| 10+ | 55,440 € |
| 50+ | 53,430 € |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
Referencia del fabricanteSKM50GB12T4
Código Farnell2301737
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN Doble
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector Continua81A
Corriente de Colector DC81A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.85V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.175°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del TransistorSEMITRANS 2
Número de Pines7Pins
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 Rápido [Zanja]
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Resumen del producto
The SKM50GB12T4 is a SEMITRANS® 2 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN Doble
Corriente de Colector Continua
81A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Número de Pines
7Pins
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
81A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Unión Tj Máx.
175°C
Encapsulado del Transistor
SEMITRANS 2
Terminación IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 4 Rápido [Zanja]
Gama de Producto
-
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.18
Trazabilidad del producto