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SKM200GB12E4
Módulo IGBT, Medio Puente, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Módulo
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|---|---|
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| 5+ | 193,070 € |
| 10+ | 180,540 € |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
Referencia del fabricanteSKM200GB12E4
Código Farnell2423693
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N Doble
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector DC313A
Corriente de Colector Continua313A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.8V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.8V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Temperatura de Unión Tj Máx.175°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPerno
Número de pines7Pins
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja]
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Resumen del producto
The SKM200GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N Doble
Corriente de Colector DC
313A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.8V
Disipación de Potencia Pd
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.
175°C
Terminación IGBT
Perno
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector Continua
313A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.8V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Número de pines
7Pins
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja]
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para SKM200GB12E4
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.18
Trazabilidad del producto