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SKM200GB125D
Módulo IGBT, Medio Puente, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Módulo
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
Referencia del fabricanteSKM200GB125D
Código Farnell2423692
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N Doble
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector Continua200A
Corriente de Colector DC200A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor3.3V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)3.3V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPerno
Número de pines7Pins
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTNPT IGBT [Ultra Rápido]
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Resumen del producto
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N Doble
Corriente de Colector Continua
200A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
3.3V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación IGBT
Perno
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
3.3V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Número de pines
7Pins
Tecnología IGBT
NPT IGBT [Ultra Rápido]
Gama de Producto
-
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Alternativas para SKM200GB125D
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.18
Trazabilidad del producto