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SKM150GAL12T4
Módulo IGBT, Simple, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Módulo
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FabricanteSEMIKRON
Referencia del fabricanteSKM150GAL12T4
Código Farnell2423685
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 84,510 € |
| 5+ | 78,410 € |
| 10+ | 71,250 € |
| 50+ | 68,660 € |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
Referencia del fabricanteSKM150GAL12T4
Código Farnell2423685
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Configuración IGBTSimple
Corriente de Colector DC232A
Corriente de Colector Continua232A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.8V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.8V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Temperatura de Unión Tj Máx.125°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 Rápido [Zanja]
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Resumen del producto
The SKM150GAL12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with electronic welders at fsw up to 20kHz and brake chopper. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Single switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector DC
232A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.8V
Disipación de Potencia Pd
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.
125°C
Terminación IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 4 Rápido [Zanja]
Gama de Producto
-
Configuración IGBT
Simple
Corriente de Colector Continua
232A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.8V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
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Alternativas para SKM150GAL12T4
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.18