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SKM100GB125DN
Módulo IGBT, Medio Puente, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Módulo
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| 5+ | 178,860 € |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
Referencia del fabricanteSKM100GB125DN
Código Farnell2423681
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N Doble
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector Continua100A
Corriente de Colector DC100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)3.3V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor3.3V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Unión Tj Máx.150°C
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Número de Pines7Pins
Terminación IGBTPerno
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTNPT IGBT [Ultra Rápido]
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Resumen del producto
El SKM100GB125DN es un módulo IGBT ultra-rápido de canal N de 1200V con diodos CAL de inversión rápida y suave. Este transistor es ideal para inversores resonantes de hasta 100kHz y soldadores electrónicos así como calefacción inductiva.
- Baja inductancia
- Corriente de cola corta con baja dependencia de temperatura
- Alta capacidad de resistencia a cortocircuito
- Placa base de cobre aislada con tecnología de unión directa de cobre (DCB)
- Grandes distancias de separación (10mm) y fuga (20mm)
Advertencias
Dispositivo sensible a descargas ESD, tome las precauciones adecuadas a la hora de manejarlo. No obstante, no requiere empaquetado ESD. Debido a requisitos técnicos, el componente pueden contener sustancias peligrosas.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N Doble
Corriente de Colector Continua
100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
3.3V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Unión Tj Máx.
150°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de Pines
7Pins
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
100A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
3.3V
Disipación de Potencia
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Encapsulado del Transistor
Módulo
Terminación IGBT
Perno
Tecnología IGBT
NPT IGBT [Ultra Rápido]
Gama de Producto
-
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Italy
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Italy
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.18
Trazabilidad del producto