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UMX1NTN
Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN Doble, 50 V, 150 mA, 150 mW
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,399 € |
| 10+ | 0,250 € |
| 100+ | 0,159 € |
| 500+ | 0,119 € |
| 1000+ | 0,094 € |
| 5000+ | 0,0845 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteUMX1NTN
Código Farnell1680410
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN50V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP-
Corriente de Colector Continua NPN150mA
Corriente de Colector Continua PNP-
Disipación de Potencia NPN150mW
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN120hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP-
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN180MHz
Frecuencia de Transición PNP-
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The UMX1NTN is a dual NPN general purpose amplification Bipolar Transistor with epitaxial planar type NPN silicon structure. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
- Transistor elements are independent, eliminating interference
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
-
Corriente de Colector Continua PNP
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
-
Número de pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
50V
Corriente de Colector Continua NPN
150mA
Disipación de Potencia NPN
150mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
120hFE
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
180MHz
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000136
Trazabilidad del producto