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SCT3160KW7HRTL
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 6,770 € |
| 50+ | 6,230 € |
| 100+ | 5,190 € |
| 250+ | 5,090 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteSCT3160KW7HRTL
Código Farnell4145325RL
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id17A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.16ohm
Encapsulado del TransistorTO-263
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia100W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
17A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.16ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-263
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
100W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto