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SCT3120AW7TL
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 5+ | 9,030 € |
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| 50+ | 6,740 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteSCT3120AW7TL
Código Farnell3577902
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id21A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.12ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia100W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
21A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.12ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
100W
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.02268
Trazabilidad del producto