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SCT3060ARHRC15
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,450 € |
| 5+ | 9,090 € |
| 10+ | 7,730 € |
| 50+ | 7,710 € |
| 100+ | 7,560 € |
| 250+ | 7,440 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteSCT3060ARHRC15
Código Farnell4145204
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id39A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.06ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.6V
Disipación de Potencia165W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
39A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.06ohm
Número de Pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
165W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto