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RGS80TSX2DGC11
IGBT, 80 A, 1.7 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pines
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| 5+ | 9,020 € |
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| 50+ | 6,460 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteRGS80TSX2DGC11
Código Farnell3580050
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua80A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.7V
Disipación de Potencia555W
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Encapsulado del TransistorTO-247N
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
80A
Disipación de Potencia
555W
Encapsulado del Transistor
TO-247N
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.7V
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00567