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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 0,981 € |
10+ | 0,733 € |
100+ | 0,484 € |
500+ | 0,445 € |
1000+ | 0,436 € |
5000+ | 0,428 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteRF1001T2DNZC9
Código Farnell3757520
Hoja de datos técnicos
Cresta de Tensión Inversa Recurrente200V
Corriente Directa Promedio10A
Configuración de DiodoCátodo Común Doble
Tensión Directa Máxima930mV
Tiempo de Recuperación Inversa30ns
Sobrecorriente Directa80A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoTO-220FN
Núm. de Pines3 Pines
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
200V
Configuración de Diodo
Cátodo Común Doble
Tiempo de Recuperación Inversa
30ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Núm. de Pines
3 Pines
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
10A
Tensión Directa Máxima
930mV
Sobrecorriente Directa
80A
Encapsulado del Diodo
TO-220FN
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004