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| 500+ | 0,128 € |
| 1000+ | 0,118 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteRF071M2STR
Código Farnell1680040RL
Rango de ProductoRF071
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.200V
Corriente Directa Promedio700mA
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima850mV
Tiempo de Recuperación Inversa25ns
Sobrecorriente Directa15A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoSOD-123
Número de pines2 Pines
Gama de ProductoRF071
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Alternativas para RF071M2STR
Se ha encontrado 1 producto
Resumen del producto
The RF071M2STR is a silicon epitaxial standard Super-fast Recovery Diode for general rectification application.
- Ultra low forward voltage
- Low switching loss
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
200V
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
25ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de pines
2 Pines
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
700mA
Tensión Directa Máxima
850mV
Sobrecorriente Directa
15A
Encapsulado del Diodo
SOD-123
Gama de Producto
RF071
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000045
Trazabilidad del producto