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QS6M3TR
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,340 € |
| 500+ | 0,240 € |
| 1000+ | 0,213 € |
| 5000+ | 0,187 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteQS6M3TR
Código Farnell1525473RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.5A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.17ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.17ohm
Encapsulado del TransistorTSMT
Número de Pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N900mW
Disipación de Potencia Canal P1.25W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.5A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.17ohm
Número de Pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
1.25W
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.5A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.17ohm
Encapsulado del Transistor
TSMT
Disipación de Potencia Canal N
900mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000014