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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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5+ | 0,399 € |
10+ | 0,239 € |
100+ | 0,153 € |
500+ | 0,115 € |
1000+ | 0,105 € |
5000+ | 0,103 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteIMZ1AT108
Código Farnell1680352
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN, PNP
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN50V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP50V
Corriente de Colector Continua NPN150mA
Corriente de Colector Continua PNP150mA
Disipación de Potencia NPN300mW
Disipación de Potencia PNP300mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN120hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP120hFE
Encapsulado del TransistorSOT-457
Número de pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN180MHz
Frecuencia de Transición PNP140MHz
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The IMZ1AT108 is a NPN-PNP general purpose Bipolar Transistor Array with epitaxial planar silicon structure. It has mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Transistor elements are independent, eliminating interference
- Mounting area can be cut in half
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN, PNP
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
50V
Corriente de Colector Continua PNP
150mA
Disipación de Potencia PNP
300mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
120hFE
Número de pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
140MHz
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
50V
Corriente de Colector Continua NPN
150mA
Disipación de Potencia NPN
300mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
120hFE
Encapsulado del Transistor
SOT-457
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
180MHz
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000363
Trazabilidad del producto