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HP8KB7TB1
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 V, 24 A, 8000 µohm
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|---|---|
| 100+ | 1,160 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteHP8KB7TB1
Código Farnell4263605RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N Doble
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N24A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N8000µohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorHSOP
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N26W
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N Doble
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
24A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
8000µohm
Encapsulado del Transistor
HSOP
Disipación de Potencia Canal N
26W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00009
Trazabilidad del producto