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GNP2130TEC-ZE2
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,640 € |
| 5+ | 5,320 € |
| 10+ | 5,000 € |
| 50+ | 4,830 € |
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteGNP2130TEC-ZE2
Código Farnell4719851
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id14.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.182ohm
Carga de Puerta Típica2.8nC
Encapsulado del TransistorDFN8080CK
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.182ohm
Encapsulado del Transistor
DFN8080CK
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
14.5A
Carga de Puerta Típica
2.8nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00017
Trazabilidad del producto