Imprimir página
GNP2070TD-ZTR
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
162 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 11,590 € |
| 5+ | 9,840 € |
| 10+ | 8,080 € |
| 50+ | 7,540 € |
| 100+ | 6,990 € |
| 250+ | 6,850 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
11,59 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteGNP2070TD-ZTR
Código Farnell4633526
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id27A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.098ohm
Carga de Puerta Típica5.2nC
Encapsulado del TransistorTOLL
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
GNP2070TD-ZTR is a 650V GaN HEMT which has achieved the industry's highest class FOM (Ron*Ciss, Ron*Coss). It is a product of the EcoGaN™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low ON resistance and high-speed switching. ESD protection function is built in for high-reliability design. In addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting. Suitable for high switching frequency converter and high density converter applications.
- 650V E-mode GaN HEMT
- 70mohm resistance and 5.2nC gate charge
- 27A Ids, 6.5V Vgs rating
- 0.098ohm drain source on state resistance
- 53A ID,pulse
- 800V transient drain to source voltage
- 8.5V transient gate to source voltage
- 159W power dissipation at Tc= 25°C
- 8 pin TOLL package, operation temperature Tj range from -55 to 150°C
- Dimension is 11.68mm x 9.9mm x 2.4mm (W (Typ) x D (Typ) x H (Max))
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.098ohm
Encapsulado del Transistor
TOLL
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
27A
Carga de Puerta Típica
5.2nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto