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GNP1150TCA-ZE2
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Montaje Superficial
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FabricanteROHM
Referencia del fabricanteGNP1150TCA-ZE2
Código Farnell4179927RL
Rango de ProductoEcoGaN Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 2,810 € |
| 500+ | 2,260 € |
| 1000+ | 2,210 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteGNP1150TCA-ZE2
Código Farnell4179927RL
Rango de ProductoEcoGaN Series
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id11A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.15ohm
Carga de Puerta Típica2.7nC
Encapsulado del TransistorDFN8080AK
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de ProductoEcoGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.15ohm
Encapsulado del Transistor
DFN8080AK
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
11A
Carga de Puerta Típica
2.7nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
EcoGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001