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GNP1070TC-ZE2
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,750 € |
| 5+ | 8,350 € |
| 10+ | 6,940 € |
| 50+ | 6,350 € |
| 100+ | 5,760 € |
| 250+ | 5,640 € |
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteGNP1070TC-ZE2
Código Farnell4172944
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id20A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Carga de Puerta Típica5.2nC
Encapsulado del TransistorDFN8080K
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Encapsulado del Transistor
DFN8080K
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
20A
Carga de Puerta Típica
5.2nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000012