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BSM120C12P2C201
MOSFET de Carburo de Silicio, Chopper, Canal N, 134 A, 1.2 kV, Módulo
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Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteBSM120C12P2C201
Código Farnell3573216
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETChopper
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id134A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor-
Encapsulado del TransistorMódulo
Número de Pines-
Tensión de Prueba Rds(on)-
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia935W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Chopper
Corriente de Drenaje Continua Id
134A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
-
Número de Pines
-
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
935W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.28