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BM3G005MUV-LBE2
Módulo de etapa de potencia GaN HEMT, VQFN046V8080, 6,83 a 30 V, 1 canal, 1 salida, TO252-J
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 11,950 € |
| 25+ | 11,590 € |
| 50+ | 11,240 € |
| 100+ | 10,880 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
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Especificaciones técnicas
Tensión de Alimentación Mín.
6.83V
Número de pines
46Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
105°C
Tensión de Alimentación Máx.
30V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Peso (kg):.00001