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TP65H100G4PS
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Orificio Pasante
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FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H100G4PS
Código Farnell4680952
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,520 € |
| 5+ | 5,600 € |
| 10+ | 4,670 € |
| 50+ | 4,120 € |
| 100+ | 3,580 € |
| 250+ | 3,510 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H100G4PS
Código Farnell4680952
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id18.9A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.11ohm
Carga de Puerta Típica14.4nC
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de Pines3Pins
Gama de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.11ohm
Encapsulado del Transistor
TO-220
Número de Pines
3Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
18.9A
Carga de Puerta Típica
14.4nC
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Gama de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto