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RMLV0408EGSA-4S2#KA1
SRAM, SRAM asíncrona, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8bit, STSOP, 32 Pines, 2.7 V
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FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteRMLV0408EGSA-4S2#KA1
Código Farnell4146924
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,660 € |
| 10+ | 3,410 € |
| 25+ | 3,310 € |
| 50+ | 3,230 € |
| 100+ | 3,160 € |
| 250+ | 3,050 € |
| 500+ | 2,990 € |
| 1000+ | 2,960 € |
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Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteRMLV0408EGSA-4S2#KA1
Código Farnell4146924
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona, LPSRAM
Densidad de Memoria4Mbit
Configuración de Memoria512Kword x 8bit
Encapsulado del CISTSOP
Número de pines32Pins
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal3V
Frecuencia de Reloj Máx.-
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona, LPSRAM
Configuración de Memoria
512Kword x 8bit
Número de pines
32Pins
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia de Reloj Máx.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
4Mbit
Encapsulado del CI
STSOP
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nominal
3V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001