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71V416S12PHGI8
SRAM, SRAM asíncrona, 4 Mbit, 256K x 16 bits, TSOP, 44 Pines, 3 V
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,470 € |
| 10+ | 6,010 € |
| 25+ | 5,830 € |
| 50+ | 5,690 € |
| 100+ | 5,550 € |
| 250+ | 5,360 € |
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Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricante71V416S12PHGI8
Código Farnell3869640
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Densidad de Memoria4Mbit
Configuración de Memoria256K x 16 bits
Encapsulado del CITSOP
Número de pines44Pins
Tensión de Alimentación Mín.3V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal3.3V
Frecuencia de Reloj Máx.-
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración de Memoria
256K x 16 bits
Número de pines
44Pins
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia de Reloj Máx.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
-
Densidad de Memoria
4Mbit
Encapsulado del CI
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
3V
Tensión de Alimentación Nominal
3.3V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto