Imprimir página
QRD1113
Fotointerruptor Reflexivo, Fototransistor, Orificio Pasante, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
88 Productos en Stock
100 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,070 € |
| 10+ | 0,911 € |
| 25+ | 0,898 € |
| 50+ | 0,884 € |
| 100+ | 0,871 € |
| 500+ | 0,810 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,07 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteQRD1113
Código Farnell1467857
Hoja de datos técnicos
Método de DetecciónReflexivo
Ancho de Ranura / Distancia de Detección-
Tensión de Alimentación Mín.-
Distancia de Detección1.27mm
Tensión de Alimentación Máx.-
Corriente Directa If50mA
Tensión Inversa Vr5V
Carcasa / Paquete de SensorMódulo
Tensión Colector-Emisor Máx30V
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo30V
Tensión Directa1.7V
Máx. IC Corriente de Colector0.3mA
Tipo de Salida de SensorFototransistor
Grado IP-
Montaje del SensorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The QRD1113 is a 1.27mm Reflective Object Sensor with an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face. The phototransistor responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- No-contact surface sensing
- Unfocused for sensing diffused surfaces
- Daylight filter on sensor
- -40 to 85°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Método de Detección
Reflexivo
Tensión de Alimentación Mín.
-
Tensión de Alimentación Máx.
-
Tensión Inversa Vr
5V
Tensión Colector-Emisor Máx
30V
Tensión Directa
1.7V
Tipo de Salida de Sensor
Fototransistor
Montaje del Sensor
Agujero Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Calificación
-
Ancho de Ranura / Distancia de Detección
-
Distancia de Detección
1.27mm
Corriente Directa If
50mA
Carcasa / Paquete de Sensor
Módulo
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
30V
Máx. IC Corriente de Colector
0.3mA
Grado IP
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000431
Trazabilidad del producto