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NXH350N100H4Q2F2P1G
Módulo IGBT, Módulo híbrido Si/SiC, EliteSiC, Paquete Cuádruple, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH350N100H4Q2F2P1G
Código Farnell3929806
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 147,170 € |
| 5+ | 145,990 € |
| 10+ | 144,810 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
147,17 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH350N100H4Q2F2P1G
Código Farnell3929806
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPaquete Cuádruple
Corriente de Colector Continua303A
Corriente de Colector DC303A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.63V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.63V
Disipación de Potencia592W
Disipación de Potencia Pd592W
Temperatura de Unión Tj Máx.175°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTEncaje a Presión
Tensión Colector-Emisor Máx1kV
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1kV
Tecnología IGBTIGBT [Zanja/Limitador de Campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Paquete Cuádruple
Corriente de Colector DC
303A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.63V
Disipación de Potencia Pd
592W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Terminación IGBT
Encaje a Presión
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Colector Continua
303A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.63V
Disipación de Potencia
592W
Temperatura de Unión Tj Máx.
175°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1kV
Tecnología IGBT
IGBT [Zanja/Limitador de Campo]
Gama de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.09
Trazabilidad del producto