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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH200B100H4F2SG
Código Farnell3929803
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
10 Productos en Stock
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 107,720 € |
5+ | 103,300 € |
10+ | 98,870 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH200B100H4F2SG
Código Farnell3929803
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPIM
Corriente de Colector Continua100A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.8V
Disipación de Potencia93W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPin de Soldadura
Tensión Colector-Emisor Máx1kV
Tecnología IGBTIGBT 6 [Zanja/parada de campo]
Montaje de TransistorPanel
Gama de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
PIM
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.8V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Terminación IGBT
Pin de Soldadura
Tecnología IGBT
IGBT 6 [Zanja/parada de campo]
Gama de Producto
EliteSiC Series
Corriente de Colector Continua
100A
Disipación de Potencia
93W
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
1kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.09