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NVHL023N065M3S
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVHL023N065M3S
Código Farnell4583078
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
395 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 15,240 € |
| 5+ | 13,520 € |
| 10+ | 11,800 € |
| 50+ | 11,270 € |
| 100+ | 10,730 € |
| 250+ | 10,200 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVHL023N065M3S
Código Farnell4583078
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id70A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.033ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia263W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NVHL023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 3 pin TO-247 package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
70A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.033ohm
Número de pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
263W
Gama de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto