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NVBG023N065M3S
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVBG023N065M3S
Código Farnell4583074RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 11,390 € |
| 50+ | 10,620 € |
| 100+ | 9,850 € |
| 250+ | 9,650 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVBG023N065M3S
Código Farnell4583074RL
Hoja de datos técnicos
Corriente de Drenaje Continua Id70A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.033ohm
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia263W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Resumen del producto
NVBG023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Corriente de Drenaje Continua Id
70A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.033ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
263W
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto