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NVBG022N120M3S
MOSFET de Carburo de Silicio, EliteSiC, Simple, Canal N, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVBG022N120M3S
Código Farnell4036823RL
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 15,120 € |
| 50+ | 14,840 € |
| 100+ | 14,550 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVBG022N120M3S
Código Farnell4036823RL
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id58A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.022ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.022ohm
Encapsulado del TransistorTO-263HV (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.72V
Disipación de Potencia Pd234W
Disipación de Potencia234W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.022ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.72V
Disipación de Potencia
234W
Gama de Producto
EliteSiC Series
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
58A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.022ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
234W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0007
Trazabilidad del producto