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---|---|
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100+ | 0,415 € |
500+ | 0,339 € |
1000+ | 0,317 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTMFD5C672NLT1G
Código Farnell4317969
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N Doble
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N49A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0119ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorDFN
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N45W
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N Doble
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
49A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0119ohm
Encapsulado del Transistor
DFN
Disipación de Potencia Canal N
45W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000013
Trazabilidad del producto